青海瓷介微調(diào)電容電壓

選型要點額定電壓鋁電解電容本體上標(biāo)有的容量和耐壓，這兩個參數(shù)是很重要，是選用電容基本的內(nèi)容。在實際電容選型中，對電流變化節(jié)奏快的地方要用容量較大的電容，但并非容量越大越好，首先，容量增大，成本和體積可能會上升，另外，電容越大充電電流就越大，充電時間也會越長。這些都是實際應(yīng)用選型中要考慮的。額定工作電壓：在規(guī)定的工作溫度范圍內(nèi)，電容長期可靠地工作，它能承受的比較大直流電壓。雖然說，48V的工作電壓使用50V的鋁電解電容短時間不會出現(xiàn)問題，但使用久了，壽命就有可能降低。常用的固定電容工作電壓有250V、400V、450V、475V、500V、600V、630V。青海瓷介微調(diào)電容電壓

電容器主要分類：1．按照結(jié)構(gòu)分三大類：固定電容器、可變電容器和微調(diào)電容器。2．按電介質(zhì)分類：有機(jī)介質(zhì)電容器、無機(jī)介質(zhì)電容器、電解電容器、電熱電容器和空氣介質(zhì)電容器等。3.按用途分有：高頻旁路電容器、低頻旁路電容器、濾波電容器、調(diào)諧電容器、高頻耦合電容器、低頻耦合電容器、小型電容器。4．按制造材料的不同可以分為：瓷介電容、滌綸電容、電解電容、鉭電容，還有先進(jìn)的聚丙烯電容等等。5．高頻旁路：陶瓷電容器、云母電容器、玻璃膜電容器、滌綸電容器、玻璃釉電容器。山西聚合物電容原理目前常見的鉭電容有三種失效模式：電壓型、電流型和發(fā)熱型。

電解電容在電路中實際要承受的電壓不能超過它的耐壓值。在濾波電路中，電容的耐壓值不要小于交流有效值的1.42倍。使用電解電容的時候，還要注意正負(fù)極不要接反。不同電路應(yīng)該選用不同種類的電容?？窕芈房梢赃x用云母、高頻陶瓷電容，隔直流可以選用紙介、滌綸、云母、電解、陶瓷等電容，濾波可以選用電解電容，旁路可以選用滌綸、紙介、陶瓷、電解等電容。電容在裝入電路前要檢查它有沒有短路、斷路和漏電等現(xiàn)象，并且核對它的電容值。安裝的時候，要使電容的類別、容量、耐壓等符號容易看到，以便核實。

鉭電容由于介質(zhì)層是由陽極金屬在電解液中氧化而成，而生成的介質(zhì)薄膜在外加電壓的作用下產(chǎn)生熱量，容易使其生產(chǎn)電阻率很高的氧化物。從而相當(dāng)于修復(fù)了氧化膜中存在缺陷、裂痕等疵點，即具有自愈作用。這種獨特自愈性能，保證了其長壽命和可靠性的優(yōu)勢。固體鉭電容器電性能優(yōu)良，工作溫度范圍寬，而且形式多樣，體積效率優(yōu)異，具有其獨特的特征：鉭電容器的工作介質(zhì)是在鉭金屬表面生成的一層極薄的五氧化二鉭膜。此層氧化膜介質(zhì)與組成電容器的一端極結(jié)合成一個整體，不能單獨存在。由于陽極塊中具有很多微孔結(jié)構(gòu)，使其單位體積內(nèi)所具有的電容量特別大，即比容量高，因此適宜于小型化電路板。選型要點額定電壓鋁電解電容本體上標(biāo)有的容量和耐壓，這兩個參數(shù)是很重要，是選用電容基本的內(nèi)容。

通常的薄膜電容器其制法是將鋁等金屬箔當(dāng)成電極和塑料薄膜重疊后卷繞在一起制成。但是另外薄膜電容器又有一種制造法，叫做金屬化薄膜(MetallizedFilm)，其制法是在塑料薄膜上以真空蒸鍍上一層很薄的金屬以做為電極。如此可以省去電極箔的厚度，縮小電容器單位容量的體積，所以薄膜電容器較容易做成小型，容量大的電容器。例如常見的MKP電容，就是金屬化聚丙烯膜電容器(MetailizedPolypropyleneFilmCapacitor)的代稱，而MKT則是金屬化聚乙酯電容(MetailizedPolyester)的代稱。當(dāng)電容器的兩個極板之間加上電壓時，電容器就會儲存電荷。海南聚丙烯CBB電容失效

鉭電容器工作過程中，具有自動修補或隔絕氧化膜中的疵點所在的性能。青海瓷介微調(diào)電容電壓

薄膜，依塑料薄膜的種類又被分為：聚乙酯電容(又稱Mylar電容)，聚丙烯電容(又稱PP電容)，聚苯乙烯電容(又稱PS電容)和聚碳酸電容。其結(jié)構(gòu)和紙介電容相同，介質(zhì)是滌綸或者聚苯乙烯等。滌綸薄膜電容，介電常數(shù)較高，體積小，容量大，穩(wěn)定性比較好，適宜做旁路電容。聚苯乙烯薄膜電容，介質(zhì)損耗小，絕緣電阻高，但是溫度系數(shù)大，可用于高頻電路。薄膜電容器可分為直流薄膜電容器和交流薄膜電容器兩大類：直流薄膜電容器是指工作在以直流電源供電的電路中的薄膜電容器，可分為通用類、抑制電源電磁干擾類、脈沖類和精密類四類；交流薄膜電容器是指工作在以交流電源供電的電路中的薄膜電容器，按功能分電動機(jī)啟動運行、功率因素補償?shù)取Ｇ嗪４山槲⒄{(diào)電容電壓

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